Caractéristiques / Spécifications techniques :

Type de boîtier : TO-3PF ou TO-3PM

Type de transistor : NPN

Courant de collecteur max. (IC) : 6 A

Tension collecteur-émetteur max. (VCE) : 600 V

Tension collecteur-base max. (VCB) : 1 500 V

Tension émetteur-base max. (VEBO) : 5 V

Dissipation maximale du collecteur (Pc) : 50 W

Fréquence de transition max. (fT) : 2 MHz

Gain de courant continu minimum et maximum (hFE) : 8 à 25

Température de stockage et de fonctionnement max. : -55 à +150 °C

المميزات / المواصفات الفنية:

نوع العبوة: TO-3PF أو TO-3PM

نوع الترانزستور NPN :

أقصى تيار جامع (IC): 6A

أقصى جهد جامع-باعث 600V: (VCE)

أقصى جهد جامع-قاعدة 1500V : (VCB)  

أقصى جهد باعث-قاعدة 5V : (VEBO)

أقصى تبديد جامع 50: (Pc) وات

أقصى تردد انتقالي 2: (fT) ميجا هرتز

الحد الأدنى والحد الأقصى لكسب التيار المستمر 8: (hFE)إلى 25

أقصى درجة حرارة للتخزين والتشغيل: -55 إلى +150 درجة مئوية